東莞記憶研發總部-2号研發樓/3号地下(xià)室項目之幕牆安裝工(gōng)程

返回列表

項目介紹
工(gōng)程概況

Project description

項目介紹

記憶科技集團成立于1997年，在深圳、蘇州、北(běi)京、成都、上海、東莞設有六大(dà)研發中(zhōng)心，在東莞、惠州、鄭州設有三座現代化制造基地，能夠爲全球客戶提供從晶圓測試與分(fēn)級、芯片封裝與測試，擁有數十條世界一(yī)流的全自動化高速SMT生(shēng)産線。
東莞記憶存儲科技有限公司坐落在東莞美麗的松山湖高新技術産業開(kāi)發區，目前主要從事動态随機儲存（DRAM)和閃存（FLASH）芯片封裝測試及工(gōng)控産品與服務器制造。
創興建設承接了記憶研發總部-2号研發樓/3号地下(xià)室項目之幕牆安裝工(gōng)程，本項目位于松山湖金多港西一(yī)路東側，規劃用地面積爲20000 ㎡，總建築面積爲27265.57 ㎡，其中(zhōng) 1 号研發樓建築面積爲9449.86 ㎡及地下(xià)室498.31 ㎡，2 号研發樓建築面積7150.31 ㎡及地下(xià)室建築面積10665.41㎡。

Project profile

工(gōng)程概況

項目地址：東莞市松山湖金多港西一(yī)路東側

承建範圍：幕牆工(gōng)程，包含玻璃幕牆、門工(gōng)程，陶土闆幕牆，填充牆，金屬飾面，吊頂及雨蓬系統、玻璃欄杆、金屬格栅、鋁錳鎂闆輕型屋面等供應、制作、安裝所需的一(yī)切項目。

承建面積： 17815.72㎡

完成時間： 2023年2月6日 —— 2023年6月6日

工(gōng)期時長： 120天