東莞記憶研發總部-2号研發樓/3号地下(xià)室項目之園林景觀工(gōng)程

返回列表

項目介紹
工(gōng)程概況

Project description

項目介紹

記憶科技集團成立于1997年，擁有服務器、内存模組、固态硬盤（包含企業級、數據中(zhōng)心級、消費(fèi)級固态硬盤）、嵌入式存儲、以及工(gōng)控安全存儲芯片等記憶體(tǐ)模組産品，廣泛應用于雲計算、企業級數據中(zhōng)心、智能終端、個人電(diàn)腦、工(gōng)業計算機、以及信息安全領域。記憶科技集團在深圳、蘇州、北(běi)京、成都、上海、東莞設有六大(dà)研發中(zhōng)心，在東莞、惠州、鄭州設有三座現代化制造基地，能夠爲全球客戶提供從晶圓測試與分(fēn)級、芯片封裝與測試，擁有數十條世界一(yī)流的全自動化高速SMT生(shēng)産線。
東莞記憶存儲科技有限公司坐落在東莞美麗的松山湖高新技術産業開(kāi)發區，目前主要從事動态随機儲存（DRAM)和閃存（FLASH）芯片封裝測試及工(gōng)控産品與服務器制造。
創興建設承接了本項目主要包括記憶研發總部-2 号研發樓、3 号地下(xià)室項目園林景觀獨立承包工(gōng)程，本項目位于松山湖金多港西一(yī)路東側，規劃用地面積爲20000 ㎡，總建築面積爲27265.57 ㎡，其中(zhōng) 1 号研發樓建築面積爲9449.86 ㎡及地下(xià)室498.31 ㎡，2 号研發樓建築面積7150.31 ㎡及地下(xià)室建築面積10665.41㎡。

Project profile

工(gōng)程概況

項目地址：東莞市松山湖金多港西一(yī)路東側

承建範圍：下(xià)沉區、一(yī)層、屋面層景觀園建工(gōng)程、軟景工(gōng)程、電(diàn)氣工(gōng)程、給排水工(gōng)程等。分(fēn)爲1 号研發樓周邊景觀、2 号樓周邊景觀和屋頂景觀、室外(wài)廣場的水景、下(xià)沉廣場的水景以及所有景觀的給排水、機電(diàn)照明等管網、線路敷設和控制，特色座椅、條石坐凳區域、車(chē)道出入口景觀牆、廣場的地面石材鋪貼及給排水系統、綠植及樹(shù)種、台階、人防安全通道炮樓拆除及修補、出入口的石材景觀及給排水系統等區域等項目的供應、制作、安裝所需的一(yī)切工(gōng)作内容。該标主入口景觀，包括地面、泛光燈、混凝土擋土牆、凹槽以及排水系統等輔料。廣場水景牆及水池，包括景觀水池表面的石材、支架、水牆底部溝槽地燈、水池及水池溝槽地燈、石凳以及水池水牆的給排水系統。廣場的地面，包括石材架空鋪裝及支座、給排水系統、地面防水、樹(shù)坑的給排水系統及回填、灌木采購、廣場的照明系統、人防樓梯間的拆除及封堵。

承建面積： 17815.72㎡

完成時間： 2023年2月6日 —— 2023年6月6日

工(gōng)期時長： 120天